TAJV686M035RNJ_TAJV686M035RNJ导读
R5和R6是反馈电阻，用于对gate电压进行采样，采样后的电压通过Q5对Q1和Q2的基极产生一个强烈的负反馈，从而把gate电压限制在一个有限的数值。这个数值可以通过R5和R6来调节。
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TAJC106M035RNJ
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。
060310R5%_060312K5%_060315K1%_060315K5%_0603180K5%_。
057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5%_。
TAJV686M035RNJ_TAJV686M035RNJ
TAJC474M050RNJ
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。
MOS管是金属 (metal) — 氧化物 (oxide) — 半导体 (semiconductor) 场效应晶体管，或者称是金属 — 绝缘体 (insulator) — 半导体。
060322R5%_0603270K5%_0603270R5%_060327K5%_0603330R5%_。
TAJV686M035RNJ_TAJV686M035RNJ
结构和符号 (以N沟道增强型为例) —— 在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。
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