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IPG20N04S4-08产品规格参数资料

2025-6-19 8:50:00
  • IPG20N04S4-08产品中文资料

IPG20N04S4-08产品规格参数资料

产品属性

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:详细信息

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装/箱体:TDSON-8

晶体管极性:N-Channel

通道数量:2Channel

Vds-漏源极击穿电压:40V

Id-连续漏极电流:20A

RdsOn-漏源导通电阻:7。6mOhms

Vgs-栅极-源极电压:-20V,+20V

Vgsth-栅源极阈值电压:3V

Qg-栅极电荷:36nC

最小工作温度:-55C

最大工作温度:+175C

Pd-功率耗散:65W

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:OptiMOS

封装:Reel

封装:CutTape

封装:MouseReel

商标:InfineonTechnologies

配置:Dual

高度:1。27mm

长度:5。9mm

产品类型:MOSFET

系列:OptiMOS-T2

子类别:MOSFETs

晶体管类型:2N-Channel

宽度:5。15mm

零件号别名:IPG2N4S48XTSP000705582IPG20N04S408ATMA1

单位重量:200mg