品牌： INFINEON
型号： IPD90N04S4-04
封装： TO252
批次： 21+
数量： 10000
制造商： Infineon
产品种类： MOSFET
RoHS： 是
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： TO-252-3
通道数量： 1 Channel
晶体管极性： N-Channel
Vds-漏源极击穿电压： 40 V
Id-连续漏极电流： 90 A
Rds On-漏源导通电阻： 4.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压： 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压： 4 V
Qg-栅极电荷： 33 nC
最小工作温度： - 55 C
最大工作温度： + 175 C
Pd-功率耗散： 71 W
配置： Single
通道模式： Enhancement
资格： AEC-Q101
高度： 2.3 mm
长度： 6.5 mm
系列： OptiMOS-T2
晶体管类型： 1 N-Channel
宽度： 6.22 mm
下降时间： 11 ns
上升时间： 11 ns
典型关闭延迟时间： 9 ns
典型接通延迟时间： 10 ns
零件号别名： IPD90N04S404ATMA1 SP000646186 IPD9N4S44XT IPD90N04S404ATMA1
单位重量： 4 g
