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SI2308CDS-T1-GE3深圳市芯为科技有限公司

2025-8-6 17:48:00
  • MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23

产品属性 属性值 搜索类似

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 2.6 A

Rds On-漏源导通电阻: 200 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 2 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.6 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Vishay Semiconductors

配置: Single

下降时间: 16 ns

正向跨导 - 最小值: 3.2 S

产品类型: MOSFET

上升时间: 25 ns

系列: Si2308CDS

3000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 10 ns

典型接通延迟时间: 23 ns

单位重量: 8 mg