制造商 Texas Instruments
商品名称 CSD19531Q5AT
类别 晶体管 - FET，MOSFET - 单
FET 类型 N-Channel
漏源电压Vdss 100V
漏极电流Id 100000mA（TA）
驱动电压 6V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 0.0064Ω@16000mA，10V
Vgs 20V，-20V
功率耗散（最大值） 3.3W（TA），125W（TC）
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 PowerTDFN-8
德州仪器 (TI) 设计和制造模拟、数字信号处理和 DLP? 芯片技术，帮助客户开发相关产品。
