型号：NTMFS5C612NLT1G
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
ON Semiconductor
系列
-包装
卷带（TR）
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
36A（Ta），235A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250μA
Vgs（最大值）
±20V
FET 功能
-功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），167W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳
8-PowerTDFN
漏源电压（Vdss）
60V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
91nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6660pF @ 25V
