参数 参数值 操作
商品目录 通用MOSFET
Moisture Level NA
Rds On(Max)@Id，Vgs 280mΩ
漏源极电压Vds 600V
连续漏极电流Id 12A
封装/外壳 TO-220 FullPAK
Rth 5.27K/W
QG 18.0nC
Ptot max 24.0W
FET类型 N-Channel
Qgd 6.0nC
Pin Count 3.0Pins
工作温度 -40°C~150°C
RthJA max 62.0K/W
Mounting THT
RthJC max 5.27K/W
栅极电压Vgs 3V，4V
