参数 参数值 操作

商品目录 通用MOSFET

Moisture Level NA

Rds On(Max)@Id，Vgs 280mΩ

漏源极电压Vds 600V

连续漏极电流Id 12A

封装/外壳 TO-220 FullPAK

Rth 5.27K/W

QG 18.0nC

Ptot max 24.0W

FET类型 N-Channel

Qgd 6.0nC

Pin Count 3.0Pins

工作温度 -40°C~150°C

RthJA max 62.0K/W

Mounting THT

RthJC max 5.27K/W

栅极电压Vgs 3V，4V