制造商 Texas Instruments/德州仪器
数据列表 CSD17308Q3
标准包装 2500
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 NexFET?
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 10.3 毫欧 @ 10A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.8V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 5.1nC @ 4.5V
Vgs（最大值） +10V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 700pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.7W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerTDFN
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