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VISHAY SI2343CDS-T1-GE3 MOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT-23

2025-5-17 16:47:00
  • 晶体管 MOSFET Vishay Semiconductors SI2343CDS-T1-GE3 深圳市佳杰伟业科技有限公司 大量现货销售

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Vishay Semiconductors SI2343CDS-T1-GE3

制造商: Vishay

封装 / 箱体: SOT-23-3

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 5.9 A

Rds On-漏源导通电阻: 45 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

Qg-栅极电荷: 21 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

晶体管类型: 1 P-Channel

商标: Vishay Semiconductors

正向跨导 - 最小值: 10 S

下降时间: 8 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 10 ns

工厂包装数量: 3000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 18 ns

典型接通延迟时间: 8 ns

零件号别名: SI2343CDS-GE3

单位重量: 8 mg

系列产品有:CGA3E3X5R1H105KT0Y0N C23-电容器 TDK

STM8S105S4T6CTR C02-集成电路(IC) STMICROELECTRONICS

STM32F100VCT6B C02-集成电路(IC) STMICROELECTRONICS

FI-C3-A1-15000 C32-端子 JAE

NL453232T-101J-PF C24-电感器 TDK

3-640706-1 C32-端子 TE

STWD100PYW83F C02-集成电路(IC) STMICROELECTRONICS

TQP3M9008 C48-RF放大器 QORVO

CYPD3174-16SXQ C02-集成电路(IC) CYPRESS

NBB-310-T1 C01-电子元件 QORVO

TQP3M9009 C48-RF放大器 QORVO

RFSW8000TR7 C55-RF开关 QORVO

SPF5043Z C48-RF放大器 QORVO

GT25-32DS-HU/R C34-插头插座 HIROSE

34899-2020 C33-外壳 MOLEX

150066M153000 C10-光电元件 WURTH

BCR108E6327HTSA1 C02-集成电路(IC) INFINEON

DF11-8DS-2C C33-外壳 HIROSE

DF12(3.5)-30DP-0.5V(86) C34-插头插座 HIROSE

172746-1 C38-防水塞 TE

64325-1023 C39-盲堵 MOLEX

51382-0400 C33-外壳 MOLEX

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