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制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-252-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:2 A
Rds On-漏源导通电阻:4.8 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
Qg-栅极电荷:11 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:45 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:2.4 mm
长度:6.6 mm
晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET
宽度:6.2 mm
商标:STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值:1.5 S
下降时间:50 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:30 ns
工厂包装数量:2500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:23 ns
典型接通延迟时间:10 ns
单位重量:4 g
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