SI7460DP-T1-E3产品详细规格
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 60V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 11A
Rds（最大）@ ID，VGS 9.6 mOhm @ 18A， 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 3V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 100nC @ 10V
输入电容（Ciss）@?Vds的 -
功率 - 最大 1.9W
安装类型 *_
包/盒 *_
供应商器件封装 *_
包装材料 *_
包装 8PowerPAK SO
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 60 V
最大连续漏极电流 11 A
RDS -于 9.6@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 20 ns
典型上升时间 16 ns
典型关闭延迟时间 75 ns
典型下降时间 30 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最低工作温度 -55
包装高度 1.04
最大功率耗散 1900
渠道类型 N
封装 Tape and_Reel
最大漏源电阻 9.6@10V
最大漏源电压 60
每个芯片的元件数 1
包装宽度 5.89
供应商封装形式 PowerPAK SO
包装长度 4.9
PCB 8
最大连续漏极电流 11
引脚数 8
铅形状 No Lead
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 11A
的Vgs（th ） （最大）@ Id 3V @ 250μA
漏极至源极电压（Vdss） 60V
供应商设备封装 PowerPAK? SO-8
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 9.6 mOhm @ 18A， 10V
FET型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 1.9W
闸电荷（Qg ） @ VGS 100nC @ 10V
封装/外壳 PowerPAK? SO-8
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI7460DP-T1-E3CT
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 18 A
正向跨导 - 闵 60 S
安装风格 SMD/SMT
RDS（ON） 9.6 mOhms
功率耗散 5.4 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 PowerPAK SO-8
零件号别名 SI7460DP-E3
上升时间 16 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 60 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 30 ns
系列 SI7
品牌 Vishay Semiconductors
商品名 TrenchFET
技术 Si
