SI2300DS-T1-GE3产品详细规格
规格书 SI2300DS-T1-GE3
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 3.6A
Rds（最大）@ ID，VGS 68 mOhm @ 2.9A， 4.5V
VGS（TH）（最大）@ Id 1.5V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 10nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 320pF @ 15V
功率 - 最大 1.7W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
