全新原装，公司现货销售
型号：TK10A60D
品牌：TOSHIBA
封装：TO220F
参数：
封装 / 箱体: TO-220SIS-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 10 A
Rds On-漏源导通电阻: 750 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 25 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 45 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: DTMOSIV
高度: 15 mm
长度: 10 mm
系列: TK10A60D
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
宽度: 4.5 mm
商标: Toshiba
正向跨导 - 最小值: 1.5 S
下降时间: 15 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 22 ns
工厂包装数量: 2500
