SI2301CDS-T1-GE3 vishay MOSFET P-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23
SI2301CDS-T1-GE3产品详细规格
标准包装3，000
FET 型MOSFET P-Channel， Metal Oxide
FET特点Standard
漏极至源极电压（VDSS）20V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C3.1A
Rds（最大）@ ID，VGS112 mOhm @ 2.8A， 4.5V
VGS（TH）（最大）@ Id1V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS10nC @ 4.5V
输入电容（Ciss）@ Vds的405pF @ 10V
功率 - 最大1.6W
安装类型Surface Mount
包/盒TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3 (TO-236)
包装材料Tape & Reel (TR)
包装3SOT-23
渠道类型P
通道模式Enhancement
最大漏源电压20 V
最大连续漏极电流2.3 A
RDS -于112@4.5V mOhm
最大门源电压±8 V
典型导通延迟时间11 ns
典型上升时间35 ns
典型关闭延迟时间30 ns
典型下降时间10 ns
工作温度-55 to 150 °C
安装Surface Mount
标准包装Tape & Reel
最大门源电压±8
包装宽度1.4(Max)
PCB3
最大功率耗散860
最大漏源电压20
欧盟RoHS指令Compliant
最大漏源电阻112@4.5V
每个芯片的元件数1
最低工作温度-55
供应商封装形式SOT-23
标准包装名称SOT-23
最高工作温度150
包装长度3.04(Max)
引脚数3
包装高度1.02(Max)
最大连续漏极电流2.3
封装Tape and_Reel
铅形状Gull-wing
P（ TOT ）1.6W
匹配代码SI2301CDS
单位包3000
标准的提前期15 weeks
最小起订量3000
极化P-CHANNEL
无铅DefinRoHS-conform
我（D ）2.7A
V（ DS ）20V
R（ DS上）0.142Ohm
FET特点Standard
安装类型Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C3.1A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id1V @ 250μA
漏极至源极电压（Vdss）20V
供应商设备封装SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS112 mOhm @ 2.8A， 4.5V
FET型MOSFET P-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大1.6W
输入电容（Ciss ） @ VDS405pF @ 10V
闸电荷（Qg ） @ VGS10nC @ 4.5V
封装/外壳TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
其他名称SI2301CDS-T1-GE3CT
类别Power MOSFET
配置Single
外形尺寸3.04 x 1.4 x 1.02mm
身高1.02mm
长度3.04mm
最大漏源电阻0.112 Ω
最高工作温度+150 °C
最大功率耗散0.86 W
最低工作温度-55 °C
包装类型SOT-23， TO-236
典型栅极电荷@ VGS3.3 nC V @ 2.5， 5.5 nC V @ 4.5
典型输入电容@ VDS405 pF V @ 10
宽度1.4mm
工厂包装数量3000
产品种类MOSFET
晶体管极性P-Channel
源极击穿电压+/- 8 V
连续漏极电流2.3 A
安装风格SMD/SMT
RDS（ON）112 mOhms
功率耗散860 mW
封装/外壳TO-236-3
零件号别名SI2301CDS-GE3
上升时间35 ns
漏源击穿电压20 V
RoHSRoHS Compliant
下降时间35 ns
漏极电流（最大值）2.3 A
频率（最大）Not Required MHz
栅源电压（最大值）?8 V
输出功率（最大）Not Required W
噪声系数Not Required dB
工作温度范围-55C to 150C
极性P
类型Power MOSFET
元件数1
工作温度分类Military
漏极效率Not Required %_
漏源导通电压20 V
功率增益Not Required dB
弧度硬化No
删除Compliant
Continuous Drain Current Id:-3.1A
Drain Source Voltage Vds:-20V
On Resistance Rds(on):142mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:2.5V
功耗:860mW
Weight (kg)0
Tariff No.85412100
Threshold Voltage Vgs:-400mV
Operating Temperature Min:-55°C
Operating Temperature Max:150°C
Transistor Case Style:SOT-23
No. of Pins:3
MSL:-
Current Id Max:-3.1A
工作温度范围:-55°C to +150°C
8月22日消息，高通CEO莫伦科夫近日接受媒体采访时感叹，中国在5G部署方面的进展非常惊人。
莫伦科夫表示，我认为中国正在加速5G的部署，预计今年年底前，中国会部署大约10万个5G基站，非常了不起。
莫伦科夫称，以往的新科技浪潮，都是由美日韩这些国家引领，中国通常会晚个5年甚至10年，但这次他们第一年就推出了。
莫伦科夫还谈到，技术的进步令他感到兴奋，每个人、每个公司都想争第一。这种竞争是全球性的，科技公司都在思考如何才能在技术变革中受益。
本月早些时候，中国铁塔董事长佟吉禄在中期业绩发布会上表示，目前已经接到运营商关于5G(基站)的建设需求6.5万个，今年建设主要是通过现有的铁塔改造实现，预计全年我们会接到10万个基站的建设需求。
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