NTR4502PT1G ON 20 V 80 mOhm 1.25W MOSFET-SOT-23优势产品大量库存原装现货
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 20V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 3.2A
Rds（最大）@ ID，VGS 80 mOhm @ 3.6A， 4.5V
VGS（TH）（最大）@ Id 1.2V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 6nC @ 4.5V
输入电容（Ciss）@ Vds的 200pF @ 10V
功率 - 最大 1.25W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 3.2 A
RDS -于 80@4.5V mOhm
最大门源电压 ±12 V
典型导通延迟时间 6.5 ns
典型关闭延迟时间 12 ns
典型下降时间 3 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±12
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and_Reel
最大漏源电阻 80@4.5V
最大漏源电压 20
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 SOT-23
最大功率耗散 1250
最大连续漏极电流 3.2
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate， 2.5V Drive
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 3.2A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 1.2V @ 250μA
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
其他名称 NTR4501NT1GOSTR
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 80 mOhm @ 3.6A， 4.5V
FET型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 1.25W
漏极至源极电压（Vdss） 20V
输入电容（Ciss ） @ VDS 200pF @ 10V
闸电荷（Qg ） @ VGS 6nC @ 4.5V
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Power MOSFET
配置 Single
外形尺寸 2.9 x 1.3 x 0.94mm
身高 0.94mm
长度 2.9mm
最大漏源电阻 0.08 Ω
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 1.25 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 SOT-23
典型栅极电荷@ VGS 2.4 nC V @ 4.5
典型输入电容@ VDS 200 pF V @ 10
宽度 1.3mm
漏极电流（最大值） 3.2 A
频率（最大） Not Required MHz
栅源电压（最大值） ?12 V
输出功率（最大） Not Required W
功率耗散 1.25 W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.08 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %_
漏源导通电压 20 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
连续漏极电流 3.2 A
晶体管极性 :N Channel
Continuous Drain Current Id :3.2A
Drain Source Voltage Vds :20V
On Resistance Rds(on) :80mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :4.5V
Threshold Voltage Vgs :1.2V
功耗 :1.25W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Current Id Max :3.2A
工作温度范围 :-55°C to +150°C
端接类型 :SMD
Voltage Vds Typ :20V
Voltage Vgs Max :1.2V
Voltage Vgs Rds on Measurement :4.5V
Weight (kg) 0.000008
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TLV70433DBVR、TP4101、TP5100、TP4056、RT9013-33PB、TPS73618DBVR、MIC5255-3.0YM5、CDSOT23-T36C、CDSOT23-24C、TL431CDBZR、TL431IDBZR、TLV1117CDCYR、LM317EMPX、NCP1117ST33T3G、NCP1117ST50T3G、PESD5V0V1BL、PESD5V0V1BSF、PESD2CAN、PESD5V0S1BA、PESD12VS2UT、PESD15VL2BT、PESD36VS2UT、PESD3V3L1BA、PESD24VL2BT、IP4220CZ6、IP4223CZ6、BCP56-16、BCP51-16、BSN20、uClamp0511T.TCT、SRV05-4.TCT、RCLAMP0531T.TCT、RCLAMP0502A.TCT、SD05C.TCT、SR05.TCT、RCLAMP0524J.TCT、ESD5Z2.5T1G、ESD5Z3.3T1G、CM1213A-01SO、CM1213A-04SO、NTR4501NT1G、NTR4502PT1G、NTR4170NT1G、NTR4171PT1G、RLST23A032C、RLST23A0122C、RLST23A052C、PRTR5V0U2X、GBLC03CI-LF-T7、GBLC03C-LF-T7、GBLC05CI-LF-T7、GBLC05C-LF-T7、GBLC08CI-LF-T7、GBLC08C-LF-T7、GBLC12CI-LF-T7、GBLC12C-LF-T7、GBLC15CI-LF-T7、GBLC24CI-LF-T7、GBLC24C-LF-T7、PSD03C-LF-T7、PSD05-LF-T7、PSD05C-LF-T7、PSD08C-LF-T7、PSM712-LF-T7、AO3400、AO3400A、AO3401A、AO3402、TPSMB6.8CA-E3/52、TPSMB6.8A、TPSMB47A、TPSMB43A、TPSMB39A、TPSMB36A、TPSMB33A、TPSMB30A、STTH208、、IRLML2502TRPBF、TP4101、IRLML6401TRPBF、TLV70433DBVR、PESD5V0S1BB、PSM712-LF-T7、NTR4171PT1G、SGM2036-3.3YUDH4G/TR 、SGM2036-1.8YUDH4G/TR、DMN2046U-7等等。
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NTR4502PT1G NTR4502PT1G NTR4502PT1G NTR4502PT1G NTR4502PT1G
NTR4502PT1G NTR4502PT1G NTR4502PT1G NTR4502PT1G NTR4502PT1GNTR4502PT1G NTR4502PT1G NTR4502PT1G NTR4502PT1G NTR4502PT1G
昨天几乎全球的科技和金融媒体都报道了关于苹果公司下调营收预期，并导致股价盘中暴跌7%的消息。但是在这种近乎全球看衰的悲观预期下，北京时间昨日晚间随着美股开盘苹果公司的跌势，苹果公司的股价跌势不减，跌幅接近10%。
今日参加“博鳌亚洲论坛2019年年会”的雷军表示，5G会对各行各业都会有巨大的推动，对我来说主要是两个关键词，第一个是手机，我觉得明后年会迎来5G手机全面的换机潮。第二个是IoT，5G会推动整个物联网的发展，是物联网一个重大发展的机遇。
雷军称，我们非常的看好5G在互联网领域的应用，去年年底今年年初，小米提出了手机+ALT的双引擎的发展战略，我相信在这次5G的浪潮里面，小米应该也获得了一些很好的发展的机遇。因为在过去这些年的努力下，我们原来是以手机为中心连接一切设备，在这个战略的导引下，我们连接了超过1.4亿台的物联网的设备，在消费类的互联网里这个数字排名全球第一，我相信5G时代，小米会获得非常好的发展。
此外，据央视财经报道，在博鳌亚洲论坛2019年年会期间，雷军接受央视财经采访时表示，小米肯定要成为中国第一批5G手机提供者。雷军称，今年算是5G元年，小米肯定要成为中国第一批5G手机提供者，要应对明、后年整个5G手机换机潮，要做大量精心准备，尽快更新产品线。
雷军认为今年应该算5G元年，小米肯定要成为中国第一批5G手机提供者，要应对明、后年整个5G手机换机潮，要做大量精心准备，尽快更新产品线。刚刚上了5G技术，复杂度比较高，成本也比较高，售价也会比较高，我们怎么能够进一步提高性价比，很快使5G手机能够普及到千家万户。
最后针对可折叠手机，雷军称关于可折叠手机目前还不够成熟，小米还在持续研发当中，等时机成熟了才会大规模量产。
