商品目录 MOS(场效应管)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A
漏源电压(Vdss) 20V
栅源极阈值电压(最大值) 1V @ 1mA
漏源导通电阻(最大值) 28 mΩ @ 3A,4V
类型 N 沟道
功率耗散(最大值) 500mW
SSM3K123TU UFM-3 丝印KKD TOSHIBA东芝 N 沟道 4.2A 20V MOS管
商品目录 MOS(场效应管)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A
漏源电压(Vdss) 20V
栅源极阈值电压(最大值) 1V @ 1mA
漏源导通电阻(最大值) 28 mΩ @ 3A,4V
类型 N 沟道
功率耗散(最大值) 500mW
深圳市洪兴微电子有限公司
张小贤
13590219551
0755-82548551
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