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ON Semiconductor 的 650 V、SuperFET III 系列是为实现高功率密度而专门设计的高性能超级结 MOSFET。 相比上一代行业领先技术，SuperFET III 技术在相同的封装尺寸下使得 Rds(on) 降低了 40%_以上，能够让产品设计人员减小封装尺寸或增加相同封装的功率。
特性 应用
能够实现更高系统能效的同类最佳 FOM 和 Eoss
先进的充电平衡技术
具有更低栅极振荡和 EMI 的高均衡型开关特性
同类最佳坚固型体二极管
所有易驱动型 MOSFET 中 Rsp 最低
服务器
电信系统
EV 充电器
工业系统
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 SuperFET? III
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 125 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 2.4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 46nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1940pF @ 400V
功率耗散（最大值） 181W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247-3
封装/外壳 TO-247-3
FCH125N65S3R0-F155
FCU360N65S3R0
FCU600N65S3R0
NTB082N65S3F
NTHL040N65S3F
NTHL065N65S3F
NTHL082N65S3F
NTHL110N65S3F
FCB070N65S3
FCP067N65S3
FCH023N65S3L4
FCPF067N65S3
深圳市烨弘轩电子有限公司，我司2011年成立于中国经济特区深圳.我司专注于为全球电子企业提供优质的电子零件供应服务，竭力打造全球品牌元器件零售与批量供应中心。
专业经营各类电子元器件（集成电路IC，存储芯片，分立器件，电源，无源元件，连接器，继电器，传感器，光电子，开关，保险元件，紧固件，开发工具，变压器，测试与测量等）。
我们以低成本提供全方位一站式电子元件供应链采购方案，包括但不仅限于电子元件紧急物料搜寻，电子元件齐套供应、电子元件降低成本的长期供应，库存寄售等一系列供应链解决方案。优势供应各类电子组件.
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深圳市烨弘轩电子有限公司 重点客户遍布中国内地 港 澳 台地区，另外欧美发达国家以及 一代一路沿线发展中国家我司也有大量长期合作的优质客户。
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深圳市烨弘轩电子有限公司 为一般纳税人 可开具17%增值税票 有合作基础可申请月结，延长账期等多种供货付款方式。
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公司经营目标：整合全球资源全 芯 全意为您服务。
公司服务宗旨：客户虐我千百遍，我待客户如初恋。
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主营 : 主动电子元器件 集成电路 IC 芯片 （AD TI MAX NXP ST LT XILINX ALTERA）等。
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