NTR4171PT1G P沟道MOS管 30V SOT-23-3 进口原装现货特价热卖
NTR4171PT1G产品详细规格
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 2.2A
Rds（最大）@ ID，VGS 75 mOhm @ 2.2A， 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 1.4V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 15.6nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 720pF @ 15V
功率 - 最大 480mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 3.5 A
RDS -于 75@10V mOhm
最大门源电压 ±12 V
典型导通延迟时间 9 ns
典型上升时间 16 ns
典型关闭延迟时间 25 ns
典型下降时间 22 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±12
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
封装 Tape and_Reel
最大漏源电阻 75@10V
最大漏源电压 30
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 SOT-23
最大功率耗散 1250
最大连续漏极电流 3.5
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 2.2A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 1.4V @ 250μA
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 75 mOhm @ 2.2A， 10V
FET型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 480mW
漏极至源极电压（Vdss） 30V
输入电容（Ciss ） @ VDS 720pF @ 15V
闸电荷（Qg ） @ VGS 15.6nC @ 10V
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 NTR4171PT1GOSCT
类别 Power MOSFET
配置 Single
外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm
身高 1.01mm
长度 3.04mm
最大漏源电阻 150 mΩ
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 1.25 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 SOT-23
典型栅极电荷@ VGS 15.6 nC @ -10 V
典型输入电容@ VDS 720 pF @ -15
宽度 1.4mm
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 P-Channel
源极击穿电压 +/- 12 V
连续漏极电流 - 3.5 A
正向跨导 - 闵 7 S
安装风格 SMD/SMT
RDS（ON） 90 mOhms
功率耗散 1.25 W
封装/外壳 TO-236
上升时间 16 ns
漏源击穿电压 - 30 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 22 ns
漏极电流（最大值） 3.5 A
频率（最大） Not Required MHz
栅源电压（最大值） ?12 V
输出功率（最大） Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.075 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
极性 P
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %_
漏源导通电压 30 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :-3.5A
Drain Source Voltage Vds :-30V
On Resistance Rds(on) :0.05ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :-10V
Threshold Voltage Vgs :-1.15V
功耗 :1.25W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (16-Dec-2013)
Weight (kg) 0.000033
Tariff No. 85412900
associated RE906
80-4-5
香港鑫锐保证原装进口现货
鑫锐电子（香港）有限公司，18年元器件专业分销商(授权与非授权品牌)，一站式终端厂家配套：(质量保证诚信经营)是公司的承诺，为客户提供品牌原装半导体，电子元器件终端配套市场，专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域（无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源）。
主营产品:ESD静电二极管、TVS二极管、电池充电和管理电源、MOS管、LDO低功耗稳压管。
公司:鑫锐电子(香港)有限公司
联系人:姚小姐
手机:13725590222
电话:0755-83780666/83265111
传真:0755-82800889
QQ:3373563833
地址:深圳福田区福田北路华强广场B座26B
公司网址：www.xrdz-hk.com
公司部分现货：
TLV70433DBVR、TP4101、TP5100、TP4056、RT9013-33PB、TPS73618DBVR、MIC5255-3.0YM5、CDSOT23-T36C、CDSOT23-24C、TL431CDBZR、TL431IDBZR、TLV1117CDCYR、LM317EMPX、NCP1117ST33T3G、NCP1117ST50T3G、PESD5V0V1BL、PESD5V0V1BSF、PESD2CAN、PESD5V0S1BA、PESD12VS2UT、PESD15VL2BT、PESD36VS2UT、PESD3V3L1BA、PESD24VL2BT、IP4220CZ6、IP4223CZ6、BCP56-16、BCP51-16、BSN20、uClamp0511T.TCT、SRV05-4.TCT、RCLAMP0531T.TCT、RCLAMP0502A.TCT、SD05C.TCT、SR05.TCT、RCLAMP0524J.TCT、ESD5Z2.5T1G、ESD5Z3.3T1G、CM1213A-01SO、CM1213A-04SO、NTR4501NT1G、NTR4502PT1G、NTR4170NT1G、NTR4171PT1G、RLST23A032C、RLST23A0122C、RLST23A052C、PRTR5V0U2X、GBLC03CI-LF-T7、GBLC03C-LF-T7、GBLC05CI-LF-T7、GBLC05C-LF-T7、GBLC08CI-LF-T7、GBLC08C-LF-T7、GBLC12CI-LF-T7、GBLC12C-LF-T7、GBLC15CI-LF-T7、GBLC24CI-LF-T7、GBLC24C-LF-T7、PSD03C-LF-T7、PSD05-LF-T7、PSD05C-LF-T7、PSD08C-LF-T7、PSM712-LF-T7、AO3400、AO3400A、AO3401A、AO3402、TPSMB6.8CA-E3/52、TPSMB6.8A、TPSMB47A、TPSMB43A、TPSMB39A、TPSMB36A、TPSMB33A、TPSMB30A、STTH208等等
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香港鑫锐保证原装进口现货
NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G
急剧下跌的存储器价格、中美之间的贸易紧张关系，再加上各大存储器厂商在策略应对上因为贸易战火所大刀砍下的资本支出预算，尤其是在先进制程领域的存储器制造商，甚至包括大陆晶圆厂以及部分7纳米制程先进制程节点扩产计划。
业内人士原本预期2019年能够再创另一个打破纪录的好光景，然而如今无论是存储器领域展望还是大陆半导体产业均已激起层层走跌的浪花。
在全球存储器产业方面，随着NAND Flash价格从2018年上半节节下滑以来，随后到了2018年第4季，DRAM价格也开始出现疲软困境，似乎预示着连续两年的存储器产业好日子已经走到尽头。再加上客户群库存修正以及英特尔处理器短缺持续发酵，带动DRAM需求无力可施，使得业界对于未来DRAM价格展望更形悲观，恐将进一步严重下滑。
全球存储器厂商迅速反应存储器价格走跌颓势，企图借由调整资本支出以因应市场瞬息万变，而对于半导体设备业者的扩产订单，也随之止步搁置，然而NAND相关投资恐将在2019年面临到两位数的下跌冲击之外，即便连DRAM支出或许也将观察到更深的下修走势。
从美光财报数据观察，此前观察到该公司毛利率以及营益率等两大关键获利数据接连超过1年有余的持续上扬态势，而且这还是在美光持续加大营运费用、提高资本支出的前提下，所达到的业绩成果。
只不过在需求疲软，再加上美国总统特朗普最新对大陆惩罚性关税冲击下，美光最新毛利率数据业已浮现下滑现象，而美光高层警示，未来在特朗普惩罚性重税威胁阴霾持续下，美光获利表现恐将面临撞墙期。
以最新美光2019会计年度第1季财报结果来看，在美国对大陆输美货品课以惩罚性关税影响下，已经让美光第1季毛利率顿时下跌0.5个百分点，预计第2季度美光毛利率恐难再回到60%高峰水平，估计将在50~53%之间徘徊。
由于大陆地区营收贡献美光大约50%占比，介于美国和大陆之间的贸易战争，对美光来说极为不利。在12月初，中美二国间达成初步共识，若在大陆诚意解决美国智财权以及美国业者在大陆被迫技术转移等议题获得圆满解决后，在90天内，特朗普政府将不会将目前关税税率10%提高到25%。
然而，一旦双方在90天内不能达成共识解决歧异，对多数在大陆设厂的美国半导体业者包括美光、英特尔等厂来说，一旦惩罚性重税税率拉抬到25%课征，将会面临远比目前侵蚀获利更为严重的冲击。
