IRLML6401TRPBF TI MOSFET 场效应管 12V 4.3A SOT-23 优势产品大量库存原装现货
IRLML6401TRPBF产品详细规格
高度1.02mm
晶体管材料Si
类别功率MOSFET
长度3.04mm
典型输入电容值@Vds830pF@10V
通道模式增强
安装类型表面贴装
每片芯片元件数目1
最大漏源电阻值50mΩ
通道类型P
BoardLevelComponentsY
最高工作温度+150°C
最大栅阈值电压0.95V
最低工作温度-55°C
最大功率耗散1.3W
最大栅源电压±8V
宽度1.4mm
尺寸3.04x1.4x1.02mm
最小栅阈值电压0.4V
最大漏源电压12V
典型接通延迟时间11ns
典型关断延迟时间250ns
封装类型微型
最大连续漏极电流4.3A
引脚数目3
晶体管配置单
典型栅极电荷@Vgs10nC@5V
工厂包装数量3000
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage-12V
晶体管极性P-Channel
RdsOn-Drain-SourceResistance50mOhms
Pd-PowerDissipation1.3W
品牌InfineonTechnologies
Id-ContinuousDrainCurrent-4.3A
封装Reel
身高1.1mm
安装风格SMD/SMT
长度2.9mm
封装/外壳SOT-23-3
通道数1Channel
Qg-GateCharge10nC
Vgs-Gate-SourceVoltage8V
晶体管类型1P-Channel
技术Si
RoHSRoHSCompliant
