IRLML2502TRPBF TI 场效应管FET-MOSFET-N沟道 20V 4.2A SOT-23 1.25W 大量库存原装现货
IRLML2502TRPBF产品详细规格
文档 IRLML2502TR Saber Model
IRLML2502TR Spice Model
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 20V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 4.2A
Rds（最大）@ ID，VGS 45 mOhm @ 4.2A， 4.5V
VGS（TH）（最大）@ Id 1.2V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 12nC @ 5V
输入电容（Ciss）@ Vds的 740pF @ 15V
功率 - 最大 1.25W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 Micro3?/SOT-23
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3Micro
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 4.2 A
RDS -于 45@4.5V mOhm
最大门源电压 ±12 V
典型导通延迟时间 7.5 ns
典型上升时间 10 ns
典型关闭延迟时间 54 ns
典型下降时间 26 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Cut Tape
标准包装 Tape & Reel
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 4.2A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 1.2V @ 250μA
漏极至源极电压（Vdss） 20V
供应商设备封装 Micro3?/SOT-23
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 45 mOhm @ 4.2A， 4.5V
FET型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 1.25W
输入电容（Ciss ） @ VDS 740pF @ 15V
其他名称 IRLML2502PBFTR
闸电荷（Qg ） @ VGS 12nC @ 5V
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
漏极电流（最大值） 4.2 A
频率（最大） Not Required MHz
栅源电压（最大值） ?12 V
输出功率（最大） Not Required W
功率耗散 1.25 W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.045 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 Micro
引脚数 3
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %_
漏源导通电压 20 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
连续漏极电流 4.2 A
删除 Compliant
晶体管极性 :N Channel
Continuous Drain Current Id :4.2A
Drain Source Voltage Vds :20V
On Resistance Rds(on) :0.035ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :4.5V
Threshold Voltage Vgs :1.2V
Weight (kg) 0
Tariff No. 85412900
associated IRLML2502PBF631954
