制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOP-Advance-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 60 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V to 2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 74 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 78 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.95 mm
长度: 5 mm
系列: TPHR9003NL
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5 mm
商标: Toshiba
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
单位重量: 851 mg
