制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOP Advance-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 150 A
Rds On-漏源导通电阻: 850 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 103 nC
最大工作温度: + 175 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 170 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.95 mm
长度: 5 mm
系列: U-MOSIX-H
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5 mm
商标: Toshiba
下降时间: 14 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 13 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 63 ns
典型接通延迟时间: 26 ns
单位重量: 851 mg
