制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 124 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 188 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Tube
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度: 4.4 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 149 S, 75 S
下降时间: 20 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 120 ns
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 62 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
零件号别名: IPP032N06N3GHKSA1 IPP32N6N3GXK SP000453612
单位重量: 6 g
