制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSDSON-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 21 A
Rds On-漏源导通电阻: 42 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 12 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 57 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.1 mm
长度: 3.3 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度: 3.3 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 11 S
下降时间: 3 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 5 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 10 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
