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供应:晶体管 MOSFET NTMFS4833NT1G

2025-8-12 16:06:00
  • MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SO-FL-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 191 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.3 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

配置: Single Quad Drain Triple Source

Pd-功率耗散: 2.35 W

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1.05 mm

长度: 4.9 mm

系列: NTMFS4833N

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: Power MOSFET

宽度: 5.8 mm

商标: ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值: 30 S

下降时间: 17 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 34 ns

工厂包装数量: 1500

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 50 ns

典型接通延迟时间: 25 ns

单位重量: 107.200 mg