N沟道 MOSFET 晶体管 STD12NF06, 12 A, Vds=60 V, 3引脚 D-PAK封装
Attribute Value
通道类型 N
最大连续漏极电流 12 A
最大漏源电压 60 V
最大漏源电阻值 100 mΩ
最大栅源电压 -20 V、+20 V
封装类型 D-PAK
安装类型 表面贴装
引脚数目 3
通道模式 增强
类别 功率 MOSFET
最大功率耗散 30 W
典型输入电容值@Vds 315 pF @ 25 V
长度 6.6mm
尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm
宽度 6.2mm
每片芯片元件数目 1
典型接通延迟时间 7 ns
最低工作温度 -55 °C
典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V
典型关断延迟时间 17 ns
高度 2.4mm
最高工作温度 +175 °C
企 业：深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站：www.xjsic.com
电 话：0755-23940365
传 真：0755-88600656
Q Q：3343956557
联 系 人 ：吴小姐
手 机：13590334401
地 址：深圳市福田区华强北都会轩4511
