制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerDI3333-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 10.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 11 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 26.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single Triple Source Quad Drain
Pd-功率耗散: 2.2 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: DMG7430
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 5.1 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 21.2 ns
工厂包装数量: 2000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 22.3 ns
典型接通延迟时间: 5.2 ns
单位重量: 72 mg
