制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 11 A
Rds On-漏源导通电阻: 400 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 20.15 mm
长度: 15.75 mm
系列: STB11NM80
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
宽度: 5.15 mm
商标: STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值: 8 S
下降时间: 15 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 17 ns
工厂包装数量: 600
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 46 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
单位重量: 38 g
