一般信息
数据列表 KSE340;
标准包装 1,920
包装 管件
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - 双极 (BJT) - 单
系列 -
规格
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA
电压 - 集射极击穿（最大值） 300V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） -
电流 - 集电极截止（最大值） 100µA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 50mA，10V
功率 - 最大值 20W
频率 - 跃迁 -
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装 TO-126-3
一般信息
数据列表 KSE350;
标准包装 1,920
包装 管件
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - 双极 (BJT) - 单
系列 -
规格
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA
电压 - 集射极击穿（最大值） 300V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） -
电流 - 集电极截止（最大值） 100µA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 50mA，10V
功率 - 最大值 20W
频率 - 跃迁 -
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装 TO-126-3
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