最小击穿电压 30.0 V
端子数量 5
加工封装描述 6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SON-8
reach_compliant Yes
欧盟RoHS规范 Yes
中国RoHS规范 Yes
状态 Active
额定雪崩能量 530.0 mJ
壳体连接 DRAIN
结构 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
drain_current_max__abs___id_ 100.0 A
最大漏电流 100.0 A
最大漏极导通电阻 0.0037 ohm
场效应晶体管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
jesd_30_code R-PDSO-F5
jesd_609_code e3
moisture_sensitivity_level 1
元件数量 1.0
操作模式 ENHANCEMENT MODE
最大工作温度 150.0 Cel
包装材料 PLASTIC/EPOXY
包装形状 RECTANGULAR
包装尺寸 SMALL OUTLINE
peak_reflow_temperature__cel_ 260
polarity_channel_type N-CHANNEL
power_dissipation_max__abs_ 3.2 W
最大漏电流脉冲 200.0 A
qualification_status Not Qualified
sub_category FET General Purpose Power
表面贴装 YES
端子涂层 TIN
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
time_peak_reflow_temperature_max__s_ NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
additional_feature AVALANCHE RATED
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