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分立半导体 晶体管 MOSFET Infineon Technologies IRFB7434PBF

2025-8-6 16:06:00
  • MOSFET 40V 1.6mOhm 195A HEXFET 294W 216nC

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 317 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 324 nC

Pd-功率耗散: 294 W

商标名: StrongIRFET

封装: Tube

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

宽度: 4.4 mm

商标: Infineon Technologies

NumOfPackaging: 1

工厂包装数量: 50

零件号别名: SP001575514

单位重量: 6 g

供应商

  • 企业:

    深圳市金嘉锐电子有限公司

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