制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: UF6-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V, - 20 V
Id-连续漏极电流: 1.6 A, - 1.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 247 mOhms, 430 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 350 mV, - 300 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V, 8 V
Qg-栅极电荷: 7.5 nC, 6.4 nC
最大工作温度: + 150 C
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.7 mm
长度: 2 mm
系列: SSM6L39
宽度: 1.7 mm
商标: Toshiba
Pd-功率耗散: 500 mW (1/2 W)
工厂包装数量: 3000
单位重量: 7 mg
