国际半导体制造龙头三星、台积电先后宣布将于2018年量产7纳米晶圆制造工艺。这一消息使得业界对半导体制造的关键设备之一极紫外光刻机（EUV）的关注度大幅提升。此后又有媒体宣称，国外政府将对中国购买EUV实施限制，更是吸引了大量公众的目光。一时之间，仿佛EUV成为了衡量中国半导体设备产业发展水平的标杆，没有EUV就无法实现半导体强国之梦。以目前中国半导体制造业的发展水平，购买或者开发EUV光刻机是否必要？中国应如何切实推进半导体设备产业的发展？
EUV面向7nm和5nm节点
所谓极紫外光刻，是一种应用于现代集成电路制造的光刻技术，它采用波长为10～14纳米的极紫外光作为光源，可使曝光波长降到13.5nm，这不仅使光刻技术得以扩展到32nm工艺以下，更主要的是，它使纳米级时代的半导体制造流程更加简化，生产周期得以缩短。
赛迪智库半导体研究所副所长林雨就此向《中国电子报》记者解释：“光刻是芯片制造技术的主要环节之一。目前主流的芯片制造是基于193nm光刻机进行的。然而193nm浸没光刻技术很难支撑40nm以下的工艺生产，因此到了22/20nm及以下工艺节点，芯片厂商不得不将193nm液浸技术和各种多重成像技术结合起来使用，以便突破工艺极限。但是采用多重成像的手段就需要进行多次光刻、蚀刻、淀积等流程，无形中提升了制造成本，拉长了工艺周期。”
因此，EUV技术实质上是通过提升技术成本来平衡工序成本和周期成本。例如，按照格罗方德的测算，启用EUV技术，在7nm和5nm节点，都仅需要1个光罩即可生产。这样理论上来说，就可以起到简化工艺流程，减少生产周期的作用。
对此，芯谋研究总监王笑龙便指出：“EUV技术的研发主要是针对传统工艺中多次曝光等繁琐问题。在过去的技术中，曝光过程可能重复2～3次，但是EUV技术可以一次完成，既减少了工序，又节约了时间。在简化工艺流程、缩短生产周期的同时，EUV也增加了产能，提升了效率。
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