MJD45H11T4G资料
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
制造商: ON Semiconductor
RoHS: 符合RoHS
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: PNP
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 80 V
集电极—基极电压 VCBO: 5 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: 1 V
最大直流电集电极电流: 8 A
增益带宽产品fT: 90 MHz
最大工作温度: + 150 C
系列: MJD45H11
商标: ON Semiconductor
集电极连续电流: 8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 60
高度: 2.38 mm
长度: 6.73 mm
最小工作温度: - 55 C
库存：86000
Pd-功率耗散: 20 W
工厂包装数量: 2500
宽度: 6.22 mm
瀚佳科技（深圳）有限公司
联系人:李先生李小姐（只售原装现货）
电话:0755-23140719/15323480719
QQ3441530696/3449124707
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大厦1607室
竞争激烈!台积电中芯抢高通芯片订单
据外媒报道，预计台积电将获得高通新一代电源管理芯片(PWM IC)70%至80%的订单。高
通前一代电源管理芯片是由中芯国际(SMIC)生产的，后者在其8英寸晶圆厂使用0.18至0.153
微米工艺来生产电源管理芯片。
高通将使用台积电的BCD工艺(Bipolar-CMOS-DMOS)来生产其新一代电源管理芯片，并将
台积电作为其电源管理芯片的主要代工合作伙伴。
台积电将于2017年底开始小批量生产高通的新一代电源管理芯片，2018年开始批量发货。台
积电将分配更多8英寸晶圆厂产能来完成高通的订单。
高通最早与特许半导体签订了生产电源管理芯片的合同，后来Globalfoundries收购了特许半导
体并接管了高通的订单。
之后，中芯国际凭借极具竞争力的价格从Globalfoundries手中夺走了订单，成为高通电源管理
芯片的主要合作伙伴。
我们知道，在高通的帮助下，中芯国际实现了28nm工艺量产，而且还加快14nm硅片的量产。
由于产能、价格及新芯片技术的原因，此次高通将电源管理芯片交给了台积电生产。
