PMV20XNER通道沟槽式 MOSFET,想要的找和谐世家电子!品种齐全!

2023-12-21 15:20:00

20 V 和 30 V N 通道沟槽式 MOSFET NXP 的 20 V 和 30 V N 通道沟槽式 MOSFET 具有 1200 mW 的增强型功率耗散能力

NXP 提供其采用沟槽式 MOSFET 技术的 N 通道、增强模式场效应晶体管 (FET)，其封装为小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

优势如下:

沟槽式 MOSFET 技术

低箝位电压

非常快的开关速度

1200 mW 的增强型功率耗散能力

应用如下:

LED 驱动器

电源管理

低压侧负载开关

开关电路