SST49LF080A-33-4C-NHE资料
数据列表 49 Series Brief;
SST49LF080A;
标准包装 30
类别 集成电路（IC）
产品族 存储器
系列 SST49
库存 6500
存储器类型 非易失
存储器格式 闪存
技术 FLASH
存储容量 8Mb （1M x 8）
时钟频率 33MHz
写周期时间 - 字，页 20μs
访问时间 120ns
存储器接口 并联
电压 - 电源 3 V ~ 3.6 V
工作温度 0°C ~ 85°C（TA）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 32-LCC（J 形引线）
供应商器件封装 32-PLCC
瀚佳科技（深圳）有限公司
联系人:李先生李小姐（只售原装现货）
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采用台积电12nm制程手机芯片 联发科力挺
来自手机芯片供应链的消息，联发科已向客户推广首颗采用台积电12nm制程的手机芯片「P40」，在核心
设计上，采用两核A73搭配四核的A53，属于六核心的设计，而不是往年主推的八核心。
手机芯片供应链认为，根据联发科的产品规划，「P40」主要对应高通位于中偏高端的产品线骁龙600系列
移动平台，但希望效能高于600系列，在OPPO、Vivo、小米等客户端第一阶段推广情况还不错。
手机芯片供应链认为，联发科的「P40」首要目标是OPPOR系列、Vivo的X系列等旗舰机种，以OPPO为例，
将是明年推出的R15，今年底应能确定是否开案成功;下一颗主打芯片传出代号暂定为「P70」，同样是12
nm制程。
联发科的「P40」是由台积电以12nm制程打造，若今年底能在OPPO、Vivo、小米等手机厂开案顺利，并抢
下旗舰机种，将有利于销售量扩增，进而带动对台积电的下单量。
联发科前两年仍推出较高端的曦力X系列芯片，但并不叫座，尤其是今年推出的十核「X30」，开案数锐减。
联发科共同CEO蔡力行到任后，确认改打中端P系列产品的策略，至明年上半年以前，并未看到X系列产品的
踪迹。
联发科上周已在北京发表第4季将量产的16nm「P23」和「P30」等两款新芯片，虽然「P30」的性能和售
价均略高于「P23」，但因「P23」的开案数量远超过「P30」，将是明年第1季的营运主力。
