SST49LF040B-33-4C-NHE资料
产品种类: 闪存
RoHS: 符合RoHS
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PLCC-32
存储容量: 4 Mbit
接口类型: Parallel or Serial
存储类型: NAND
速度: 120 ns
电源电压-最大: 3.6 V
电源电压-最小: 3 V
电源电流—最大值: 12 mA
工作温度范围: 0 C to + 70 C
系列: SST49LF
库存：6500
数据总线宽度: 8 bit
高度: 2.84 (Max) mm
长度: 14.05 (Max) mm
最大时钟频率: 33 MHz
最大工作温度: + 70 C
最小工作温度: 0 C
组织: 4 K B x 128
编程电压: 3 V to 3.6 V
标准: Not Supported
工厂包装数量: 30
定时类型: Asynchronous, Synchronous
类型: Boot Block
宽度: 11.51 (Max) mm
瀚佳科技（深圳）有限公司
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捍卫霸主地位 NAND芯片市场风云变幻
三星电子宣布，未来将投资70亿美元用于扩大西安三星电子NAND芯片的生产。不过，三星称，“此笔投资意在
满足NAND芯片市场的需求。”可是，三星的投资真的只为满足NAND芯片市场需求吗?
波澜的背后
据2017年第二季度财报显示，三星电子营收额高达554.1亿美元，同比增长19%，并且，三星电子以销售额
14亿美元的成绩拿下45.9%的NAND Flash市占有率。
有业者分析称，三星第二季度如此强劲的主要原因是苹果等其他电子类产品生产需求旺盛，同时其竞争对手SK
海力士与东芝在第二季度都分别出现了60nm与56nm制程技术问题，导致市场整体趋向三星电子。
此前不久，三星电子在平泽市建立的NAND晶圆厂已基本完工，有消息称，目前月产能8万片左右，预计一两年
后可达20万片晶圆。
观望这一年，三星电子动作不断，由于去年三星Note7爆炸事件，导致其直接经济损失超过200亿元，而且受去
年Note7爆炸事件以及萨德事件的影响，三星S8似乎失去了中国的大部分市场。
据消息透漏，三星S8虽然全球销量已经超过2000万台，但是在中国销量却只有70多万台，这对于三星来说，
无疑是一个噩耗。
从NAND芯片市场来看，西安三星电子位于中国，而中国目前在NAND芯片技术还不成熟，与国外竞争还得两三
年，但是中国市场对于NAND芯片需求极大，三星不断在中国扩厂建厂，其主要是生产低端芯片，以供应中国市
场的需求，而三星韩国的厂主要生产研发高端3D NAND芯片，此次扩大西安三星电子厂，一方面用于生产3D
NAND以备市场之需，另一方面也是迫于西部数据即将收购东芝存储器的压力。
契机在前 威胁在后
8月24日，东芝举行董事会议，最终与西部数据在内的联盟签下协议，定于月底商议收购事宜。
据2016年第四季度市场数据显示，三星NAND芯片市场份额为37.1%，而东芝与西部数据NAND芯片市场份额
分别为18.3%和17.7%，如果西部数据一旦收购东芝存储器，那么这对于三星霸主的地位可是不小的威胁。
三星作为最早研发3D NAND技术的企业，拥有着成熟的技术与经验，而随着3D NAND优势逐渐体现，美光、
SK海力士、英特尔等企业都开始研发3D NAND技术，虽然目前市面上还是使用的2D NAND，但实际上去年开始，
三星电子的3D NAND已经开始进入量产阶段，由于去年3D NAND良率过低，导致进入市场时间被推迟了一年，
据业者预计，今年年底，3D NAND将会逐渐走入手机市场。由于目前正处于2D NAND转3D NANDDE 重要时期，
两者供给量排挤很严重，如果一旦转型成功，3D NAND将短期处于缺货状态。
当然，3D NAND芯片市场发展空间巨大，仅凭三星电子很难吞下这一片市场，西部数据收购东芝存储器对于三星
电子的压力可谓巨大，而且即使西部数据收购成功，转型融合也需要很长一段时间，这对于三星来说，将是捍卫自
己霸主地位的绝佳机会。
