SD6802S特点:主要特性APFC+PSR+隔离+内置MOS：SD6802S原边控制模式SD6802S内置高压MOSFET 深圳海立辉科技有限公司 联系电话：13380343102 QQ：350948484 联系人：胡先生 士兰微代理全系列原装现货
SD6802S有源因素校正功能（APFC）
SD6802S较高的电源转换效率
SD6802S超低IC启动电流,系统快速启动
SD6802S VCC过压保护,VCC欠压保护
SD6802S LED开路保护
SD6802S LED短路保护
SD6802S内置过温过热保护控制技术,稳定关断LED
PF大于0.9
SD6802S/04S/07D VCC电压范围9-24V,兼容宽范围输出温度MI
研究机构Yole Developpement指出，随着5G技术日益成熟，未来射频功率放大器(RF PA)市场将出现显著成长，但传统的LDMOS制程将逐渐被新兴的氮化镓(GaN)取代，砷化镓(GaAs)的市场占比则相对稳定。
据Yole预估，电信基地台设备升级与小型基地台的广泛布建，将是推动RF PA市场规模成长最主要的动力来源。 2016年全球RF PA市场规模约为15亿美元，到2022年时，市场规模将达到25亿美元，复合年增率(CAGR)为9.8%。 不过，由于导入新的射频技术，并且使用更高的通讯频段，因此RF PA必须使用新的制程技术来实现。
展望未来，采用GaN制程的RF PA将成为输出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技术，LDMOS制程的市场份额则会明显萎缩。
