STB200NF04 ST/意法 TO263 N沟道 MOS管 40V 120A
制造商： STMicroelectronics 最小包装量： 1000PCS
封装： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 包装： Tape & Reel (TR)
类别： FET - 单路 无铅情况/RoHS： 符合
产品描述： MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
参数 数值
系列 STripFET™
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
功率 - 最大值 300W
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 6400pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 90nC @ 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.5 mOhm @ 50A, 10V
FET 功能 Logic Level Gate
FET 类型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
漏源极电压 (Vdss) 40V
一般信息
数据列表 STP200NF04, STB200NF04(-1);
标准包装 1,000
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 STripFET™ II
其它名称 497-3513-2
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 210nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5100pF @ 25V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 310W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.7 毫欧 @ 90A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
联系方式 ：
企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站：www.xjsic.com
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