IRF3710ZS N沟道 MOS管 TO263 IR 59A100V
制造商： Infineon 最小包装量： 800PCS
封装： - 包装： -
类别： 其他 无铅情况/RoHS： 符合
产品描述： Single N-Channel 100 V 18 mOhm 82 nC HEXFET Power Mosfet Surface Mount - D2PAK
一般信息
数据列表 IRF3710Z(S,L)PbF;
标准包装 800
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 HEXFET®
其它名称 IRF3710ZSTRLPBF-ND
IRF3710ZSTRLPBFTR
SP001570170
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 59A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 120nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 25V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 160W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 35A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
联系方式 ：
企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站：www.xjsic.com
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