CGHV27030S、
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
制造商: Cree, Inc.
RoHS: 符合RoHS 详细信息
晶体管类型: HEMT
技术: GaN
增益: 21 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流: 3.6 A
输出功率: 30 W
最大漏极/栅极电压: 50 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 12 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: 3x4 DFN
封装: Reel
应用: Telecom
商标: Wolfspeed / Cree
配置: Single
最小工作温度: - 40 C
工作频率: 2.7 GHz
工作温度范围: - 40 C to + 150 C
工厂包装数量: 250
Vgs th-栅源极阈值电压: - 3 V
