AOD409 P沟道 60V/26A TO-252 晶体管 PDF资料 功率MOS管 场效应管

AOD409型号 AOD409品牌 AOD409封装 AOD409年份 AOD409备注

AOD409 AOS/万代 TO-252 16+ 原装正品

IRLS4030 IR/整流器 TO-263 100V/180A PDF资料 功率MOS管 场效应管

AOD409的PDF资料：

AOD409的概述：

AOD / I409采用先进的沟槽技术，

提供优异的RDS（ON），

低栅极电荷和低栅极电阻。

凭借DPAK封装的出色热阻，

该器件非常适合高电流负载应用

The AOD/I409 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) ,

low gate charge and low gate resistance.

With the excellent thermal resistance of the DPAK package,

this device is well suited for high current load applications

AOD409的特征：

VDS（V）= -60V

ID = -26A（VGS = -10V）

RDS（ON）<-40mΩ（VGS = -10V）@ -20A

RDS（ON）<55mΩ（VGS = -4.5V）

AOD409的绝对最大额定值TA = 25°C，除非另有说明：

AOD409的封装说明：

AOD409的同系列产品：

AOD403 AOD407 AOD409 AOD417

AOD418 AOD425 AOD442 AOD444

AOD446 AOD458 AOD464 AOD468

AOD474 AOD476 AOD478 AOD480

AOD482 AOD492 AOD496 AOD508

AOD510 AOD514 AOD516 AOD607

电子产品广泛用于：

手机，电脑，充电宝，电视，电源，笔记本，电车，LED，等。

AOD409的一般信息

数据列表 AOD409;

TO252 (DPAK) Pkg Drawing;

标准包装 2,500

包装 标准卷带

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 -

其它名称 785-1103-2

AOD409的规格

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 54nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 30V

Vgs（最大值） ±20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），60W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 40 毫欧 @ 20A，10V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 TO-252，（D-Pak）

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司

企业网站：www.xjsic.com

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