FQB5N50C 仙童 TO-263 500V/5A PDF资料 场效应管 功率MOS管
FQB5N50C型号 FQB5N50C品牌 FQB5N50C封装 FQB5N50C年份 FQB5N50C备注
FQB5N50C 仙童 TO-263 16+ 原装正品
AOD407 AOS/万代 TO-252 60V/12A 技术支持 功率MOS管 场效应管
FQB5N50C的PDF资料：
FQB5N50C的特征：
5A，500V，RDS（on）=1.4Ω@ VGS = 10V
低栅极电荷（典型的18nC）
低Crss（典型15pF）
快速切换
100％雪崩测试
提高了dv / dt功能
FQB5N50C的概述：
这些N沟道增强型功率场效应晶体管
使用飞兆半导体专有的平面条纹DMOS技术生产。
这种先进的技术特别适合于最小化导通电阻，
提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。
这些器件非常适用于高效开关电源，
有源功率因数校正，基于半桥拓扑的电子镇流器。
FQB5N50C的绝对最大额定值TC = 25°C，除非另有说明：
FQB5N50C的封装说明：
FQB5N50C的同系列产品：
FQB5N50C FQB9N50C FDB8444 FQB30N06 FDB8443
FQB7P20 FQB5N90 FQB19N20 FQB30N06 FQB34N20
FQB50N06 FDB8860 FDB024N06 FQB8N60C FQB44N10
FDB44N25 FDB3652 FDB2614 FDB8870 FDB8445
FDB8896 FDB3502 FDB8445 FQB22P10 FDB33N25
电子产品广泛用于：
手机，电脑，充电宝，电视，电源，笔记本，电车，LED，等。
FQB5N50C的一般信息
数据列表 FQB5N50C, FQI5N50C;
标准包装 800
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 QFET®
其它名称 FQB5N50CTM-ND
FQB5N50CTMTR
FQB5N50C的规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 24nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 625pF @ 25V
Vgs（最大值） ±30V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 73W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.4 欧姆 @ 2.5A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D²PAK（TO-263AB）
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站：www.xjsic.com
联系人：吴妙惠
电话：0755-23940365
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