IRLS4030 IR/整流器 TO-263 100V/180A PDF资料 功率MOS管 场效应管
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IRLS4030 IR/整流器 TO-263 16+ 原装正品
FQB5N50C 仙童 TO-263 500V/5A PDF资料 场效应管 功率MOS管
IRLS4030的PDF资料：
IRLS4030的特征：
直流电机驱动
SMPS中的高效同步整流
不间断电源供应
高速电源切换
硬开关和高频电路
IRLS4030的概述：
针对逻辑电平驱动优化
4.5V VGS时的极低RDS（ON）
优异的R * Q在4.5V VGS
改进的门，雪崩和动态dV / dt坚固
完全表征电容和雪崩SOA
增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
无铅
IRLS4030的绝对最大额定值：
IRLS4030的封装说明：
IRLS4030的同系列产品：
IRLS4030 IRF6215S IRFS4610 IRF3805S IRF3808S
IRFS3307 IRFS3507 IRFS3607 IRF1324S IRF1404ZS
IRF2804S IRF2805S IRF2903ZS IRF4905S IRFS3004
IRFS4127 IRL1404S IRL3713S IRLS3034 IRF3710S
IRF1104S IRF3205ZS IRF4104S IRF5210S IRL1004S
电子产品广泛用于：
手机，电脑，充电宝，电视，电源，笔记本，电车，LED，等
IRLS4030的一般信息
数据列表 IRLS(L)4030PBF;
标准包装 800
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 HEXFET®
其它名称 IRLS4030TRLPBFTR
SP001552944
IRLS4030的规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 130nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11360pF @ 50V
Vgs（最大值） ±16V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 370W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 4.3 毫欧 @ 110A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站：www.xjsic.com
联系人：吴妙惠
电话：0755-23940365
传真：0755-88600656
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