深圳市汇创佳电子科技有限公司 0755-82545498 13538016218 QQ:531398920 朱先生
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 EPC
系列 eGaN®
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 GaNFET（氮化镓）
漏源极电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 25A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 10nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 950pF @ 50V
Vgs（最大值） +6V，-5V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） -
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 7 毫欧 @ 25A，5V
工作温度 -40°C ~ 125°C （TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 模具剖面（11 焊条）
封装/外壳 模具
