简介：
标准包装：2000
• 类别：分离式半导体产品
• 家庭：FET - 单
• 系列：-
• FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
• FET 特点：逻辑电平门
• 漏极至源极电压(Vdss)：60V
• 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3A
• 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：110 毫欧 @ 1.5A，10V
• Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
• 闸电荷(Qg) @ Vgs：22nC @ 10V
• 输入电容 (Ciss) @ Vds：455pF @ 25V
• 功率 - 最大：1.3W
• 安装类型：表面贴装
• 供应商设备封装：SOT-223
• 包装：带卷 (TR)
深圳市博雅盈达电子有限公司
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