深圳市铭昌源科技有限公司
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产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
制造商: Cree, Inc.
RoHS: 符合RoHS 详细信息
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 16 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V to + 2 V
Id-连续漏极电流: 950 mA
输出功率: 6 W
最大漏极/栅极电压: -
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: -
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DFN-12
封装: Reel
应用: -
商标: Wolfspeed / Cree
类: -
配置: Single
正向跨导 - 最小值: -
闸/源截止电压: -
最小工作温度: - 40 C
NF—噪声系数: -
工作频率: 18 GHz
工作温度范围: - 40 C to + 150 C
P1dB - 压缩点: -
Rds On-漏源导通电阻: -
工厂包装数量: 250
Vgs th-栅源极阈值电压: - 3 V
