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FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.7A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 190 毫欧 @ 13.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 114nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 2400pF @ 25V
功率 - 最大值 208W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 PG-TO220-3-1
