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NTD5865NLT4G 场效应管 原装正品

2025-8-18 14:01:00
  • 40 A, 60 V, 0.019 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管

端子数量: 2

最小击穿电压 :60 V

加工封装描述 :HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 369AA-01, DPAK-3

无铅 :Yes

欧盟RoHS规范 :Yes

状态: ACTIVE

包装形状 :矩形的

包装尺寸: SMALL OUTLINE

表面贴装: Yes

端子形式: GULL WING

端子涂层: MATTE 锡

端子位置: 单一的

包装材料 :塑料/环氧树脂

结构 :单一的 WITH BUILT-IN 二极管

壳体连接: DRAIN

元件数量: 1

晶体管应用 :开关

晶体管元件材料 :硅

通道类型: N沟道

场效应晶体管技术: 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR

操作模式: ENHANCEMENT

晶体管类型 :通用电源

最大漏电流: 40 A

额定雪崩能量 :36 mJ

最大漏极导通电阻: 0.0190 ohm

最大漏电流脉冲: 137 A

亚泰盈科(淘宝)

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