制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 100 V
Id-连续漏极电流: 9.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 290 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最大工作温度: + 150 C
通道模式: Enhancement
商标: Fairchild Semiconductor
配置: Single
下降时间: 60 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.6 mm
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
上升时间: 160 ns
系列: FQD12P10
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
宽度: 6.1 mm
单位重量: 330 mg
